绝热 MTJ-CMOS 混合电路的设计
新兴技术
2017-08-28 v1 硬件体系结构
摘要
随着电池供电的便携式设备需求日益增加，低功耗设计成为必然要求。在许多此类设备中，运行速度不如电池寿命重要。使用纳米器件的逻辑内存结构和绝热设计是分别降低静态和动态功耗的两种方法。磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)是一种新兴技术，当其与 CMOS 结合用于逻辑内存结构时具有诸多优势。在本文中，我们引入了一种新颖的绝热混合 MTJ/CMOS 结构，用于设计 AND/NAND、XOR/XNOR 和 1 位全加器电路。我们使用 HSPICE 和 32nm CMOS 技术对设计进行了仿真，并将其与非绝热混合 MTJ/CMOS 电路进行了比较。与先前的 MTJ/CMOS 全加器相比，所提出的绝热 MTJ/CMOS 全加器设计的功耗降低了 7 倍以上。
引用
@article{arxiv.1708.07619,
title = {Design of Adiabatic MTJ-CMOS Hybrid Circuits},
author = {Fazel Sharifi and Z. M. Saifullah and Abdel-Hameed Badawy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.07619},
year = {2017}
}