采用绝热技术的超低功耗6T SRAM设计与性能分析
其他计算机科学
2012-07-16 v1
摘要
功耗已成为高性能和便携式应用中的关键问题。基于绝热技术应用于CMOS电路的功耗降低方法最近重新受到研究。在热力学中，通过耗散介质的绝热能量传递是指通过使传递足够缓慢而将损耗任意减小的过程。本文采用绝热技术来降低平均功耗。对180nm CMOS工艺的6T SRAM单元进行了仿真。结果表明，采用绝热技术平均功耗降低了75%，并显示了其对静态噪声容限的影响。
引用
@article{arxiv.1207.3302,
title = {Design and Performance Analysis Of Ultra Low Power 6T SRAM Using Adiabatic Technique},
author = {Sunil Jadav and Vikrant and Munish Vashisath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3302},
year = {2012}
}
备注
11 pages