用于氮气流测量的表面改性 p 型和 n 型硅传感器的设计与开发
仪器与探测器
2014-09-26 v1 材料科学
原子与分子团簇
摘要
我们报道了自组装在硅晶圆（Si wafers）上的辛基三氯硅烷（OTS）分子产生的气流驱动电压生成。采用浸涂法在 p 型和 n 型掺杂硅晶圆（p-Si 和 n-Si 晶圆）上涂覆了 OTS 自组装单分子层（SAM）。利用 National Instruments NI-PXI-1044 工作站，我们在亚音速区（马赫数 < 0.2）的适度气流速度下，测量了涂覆 OTS SAM 的 Si 晶圆/未涂覆 Si 晶圆上的气流诱导电压生成。气流驱动电压生成主要归因于伯努利原理和塞贝克效应的相互作用机制。通过 SEM 分析表征了涂覆 OTS SAM 的 p-Si 和 n-Si 晶圆的表面形貌。本研究表明，与未涂覆的 Si 晶圆相比，涂覆 OTS SAM 的 p-Si 和 n-Si 晶圆对氮气流表现出更好的灵敏度。OTS SAM 还表现出高热稳定性和疏水性。
引用
@article{arxiv.1409.7270,
title = {Design and Development of Surface Modified p and n Type Silicon Sensor for Nitrogen Gas Flow Measurement},
author = {U. Satheesh and P. Prakash and D. Devaprakasam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.7270},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 6 figures, Nanocon14