电静屏蔽cantilever的制备
材料科学
2009-11-11 v1 其他凝聚态物理
摘要
本文介绍了从商业Si3N4 cantilever芯片出发，制备具有减少寄生电容的cantilever探针的工艺及其性能。采用聚焦离子束技术进行纳米加工和金属沉积，以修改原有的绝缘金字塔尖并插入导电金属尖。两个沉积在原cantilever臂上的并联金属电极用于施加电压并作为接地平面，以最小化cantilever与样品表面之间由于电容耦合引起的静电力。展示了不同电极配置下的激发谱和力-距离特性。讨论了该方案在静电力显微镜、库仑探针显微镜和局部电解氧化中的应用。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508717,
title = {Demonstration of an electrostatic-shielded cantilever},
author = {P. Pingue and V. Piazza and P. Baschieri and C. Ascoli and C. Menozzi and A. Alessandrini and P. Facci},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508717},
year = {2009}
}
备注
4 pages and 3 figures. Submitted to Applied Physics Letters