波长延伸InGaAsBi光电探测器中的深能级分析
应用物理
2020-01-08 v1
摘要
基于InP的稀铋InGaAsBi材料正成为延伸短波红外探测的有前途候选者。限制这些InGaAsBi光电二极管性能的一个关键因素是由材料内部缺陷引起的暗电流。本工作中，使用低频噪声谱（LFNS）和变温光致发光来表征器件中的缺陷能级。从LFNS谱中识别出位于 Ec -0.33 eV、Ev +0.14 eV 和 Ec -0.51 eV 的三个深能级，其与InGaAsBi光致发光谱中发现的发射峰能量一致。
引用
@article{arxiv.1906.07352,
title = {Deep levels analysis in wavelength extended InGaAsBi photodetector},
author = {Jian Huang and Baile Chen and Zhuo Deng and Yi Gu and Yingjie Ma and Jian Zhang and Xiren Chen and Jun Shao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.07352},
year = {2020}
}