D-即时力作用于全息Weyl半导体
高能物理 - 理论
2026-04-07 v1 强关联电子
摘要
我们探讨了D-即时力作用对全息Weyl半导体的影响。基于D7膜嵌入解的自由能，我们得到以Weyl参数为单位的电子质量、即时数与温度的相图。我们从D7膜的规整条件计算非线性导电性，研究边界系统中的异常霍尔现象。在相图研究中，我们提出即时力导致的能隙可转化为拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.2604.04424,
title = {D-instanton Effects on the Holographic Weyl Semimetals},
author = {Hwajin Eom and Yunseok Seo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.04424},
year = {2026}
}
备注
22 pages, 9 figures