CVD 制备 CrO₂：向低温沉积工艺发展
材料科学
2007-05-23 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报告了在大气压 CVD 条件下，从 CrO3 前驱体制备高度取向 a 轴 CrO₂ 薄膜的合成过程，沉积温度可降至 330 度 Celsius，即比已有数据低约 70 度。这些薄膜保持与高温沉积相同的优异磁性行为，此结果在应用于热敏感材料（如狭带隙半导体）方面具有重要前景。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0701671,
title = {CVD of CrO2: towards a lower temperature deposition process},
author = {P. M. Sousa and S. A. Dias and A. J. Silvestre and O. Conde and B. Morris and K. A. Yates and W. R. Branford and L. F. Cohen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701671},
year = {2007}
}
备注
13 pages, 4 figures