基于 B 样条和 Delaunay 三角划分的曲线掩模逆光刻优化
最优化与控制
2025-04-17 v1
摘要
本文提出了一种基于梯度的方法，用于优化光刻中的曲线掩模。掩模图案由周期 B 样条曲线表示。我们应用 Delaunay 三角划分对由样条曲线包围的域进行离散化。随后，我们在边界样条曲线的积分点与控制点的坐标之间建立了显式关系。基于该关系，我们推导了针对优化目标函数相对于控制点坐标的梯度的显式公式。然后，我们提出了一个逆光刻算法，用于优化曲线掩模图案。最后，数值实验结果表明，我们的方法在可行性和广泛适应性方面都具有优势。
引用
@article{arxiv.2504.11962,
title = {Curvilinear Mask Optimization for Inverse Lithography Based on B-splines and Delaunay Triangulation},
author = {Xiaoru Yi and Junqing Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.11962},
year = {2025}
}