含无序意识的神经量子态在分数量子霍尔效应区域中的结晶
强关联电子
2026-04-09 v1
摘要
我们首次微观展示了无序钉扎的空穴维格纳晶体（WC），为在附近观测到的重入整数量子霍尔效应及其在分数量子陈绝缘体中的类似物提供了自然解释。我们进一步在填充因子之上识别了一个新的交叉区域，该区域将这个空穴WC与一个电子WC连接起来，其特征是网络状的电子密度结构。为了揭示这些现象，我们使用了神经网络变分蒙特卡洛（NNVMC）方法，并结合一个具有无序意识的自我注意神经量子态，该量子态在一个单一的无偏变分框架内同时描述了分数量子霍尔（FQH）液体和维格纳晶体。更广泛地说，我们的方法建立了一个统一的相图，揭示了在半填充附近结晶的一个基本不对称性：在附近，增加朗道能级混合和无序都会稳定电子WC，而在附近，空穴WC在弱朗道能级混合下占主导地位，并最终在强朗道能级混合下让位于电子WC。
引用
@article{arxiv.2604.06316,
title = {Crystallization in the Fractional Quantum Hall Regime with Disorder-Aware Neural Quantum States},
author = {Jihang Zhu and Yi Huang and Xiaodong Hu and Di Xiao and Ting Cao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.06316},
year = {2026}
}
备注
10 pages, 4 figures