基于第一性原理计算的GaTa$_4$Se$_8$晶体与电子结构研究
材料科学
2022-05-17 v2 强关联电子
摘要
GaTaSe属于缺位尖晶石家族。尽管对其新奇的物性(如Mott绝缘体相和高压下的超导电性)已有大量研究,其晶体结构仍是一个谜题。本工作通过第一性原理计算研究了其声子谱,提出其极有可能存在晶体结构相变,这与若干实验观测结果一致。对于具有立方对称性(空间群)的原型缺位尖晶石,其声子谱在整个布里渊区存在三个软模,表明该晶体结构存在强烈的动力学不稳定性。为寻找动力学稳定的晶体结构,进一步的计算表明GaTaSe存在两种新结构,分别对应和,验证了在常压下,当温度降低时,GaTaSe确实会发生从到其他结构的结构相变。我们还对和结构进行了电子结构计算,表明结构的GaTaSe是能带绝缘体,并在单带Hubbard模型图像下,当相互作用参数U大于0.40 eV(带宽为0.25 eV)时,通过DMFT计算得到了结构的Mott绝缘体态。可以合理假设,随着温度降低,结构的GaTaSe首先转变为结构,然后因Jahn-Teller畸变后的对称性低于,再转变为结构。该结构转变可以解释低温下的磁化率异常。
引用
@article{arxiv.2007.12435,
title = {Crystal and Electronic Structure of GaTa$_4$Se$_8$ From First-Principle Calculations},
author = {Shuai Zhang and Tiantian Zhang and Hongshan Deng and Yang Ding and Yue Chen and Hongming Weng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.12435},
year = {2022}
}