自旋轨道耦合 Mott 绝缘体 GaTa4Se8 中压力诱导的拓扑超导
强关联电子
2020-06-09 v1 介观与纳米尺度物理
超导电性
摘要
缺位尖晶石 GaTaSe 是由分子 态描述的自旋轨道耦合 Mott 绝缘体的独特例子。它在压力下无需掺杂即在 T=5.8K 变为超导。本工作中，我们表明该压力诱导超导是一种以自旋-2 库珀对为特征的新型拓扑相的实现。从第一性原理密度泛函计算与随机相位近似出发，我们构建微观模型并做详细分析。发现施加压力会触发由强 Hund 耦合辅助的虚带间隧穿过程，从而稳定特定的 波五重态通道。进而，我们表明其 Bogoliubov 准粒子及其表面态展现出新颖的拓扑性质。为验证理论，我们提出了可由 Josephson 结输运与扫描隧道显微镜测量的独特实验特征。我们的发现为在自旋轨道耦合材料中寻找奇异超导开辟了新方向。
引用
@article{arxiv.2006.04782,
title = {Pressure Induced Topological Superconductivity in the Spin-Orbit Mott Insulator GaTa4Se8},
author = {Moon Jip Park and GiBaik Sim and Min Yong Jeong and Archana Mishra and Myung Joon Han and SungBin Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.04782},
year = {2020}
}
备注
5+11 pages, accepted in npj Quantum Materials