InSe 原子级薄层中激子从弱间接到直接的转变
介观与纳米尺度物理
2020-06-23 v2
摘要
我们对少层 InSe 原子级薄层中最低能量激子及其激发态的谱进行了 理论分析，考虑了薄膜的面内电极化率以及封装环境的影响。对于较薄的薄膜，激子的最低能量态在动量空间中是弱间接的，由于其 InSe 薄膜谱中相对平坦的最顶价带分支的反转边缘，其色散在依赖于层数的波数处显示极小值，并且我们计算了从动量暗激子基态到亮态的激活能。对于具有超过七层 InSe 层的薄膜，激子色散极小值移至 点。
引用
@article{arxiv.2001.04849,
title = {Crossover from weakly indirect to direct excitons in atomically thin films of InSe},
author = {Adrián Ceferino and Kok Wee Song and Samuel J. Magorrian and Viktor Zólyomi and Vladimir I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.04849},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 7 figures