范德瓦耳斯化合物AuTe2Br中的临界拓扑与压力诱导超导性
材料科学
2023-06-13 v1 超导电性
摘要
对量子自旋霍尔效应与拓扑绝缘体的研究构成了过去十年拓扑材料研究热潮的序章。与精细设计的量子阱相比，三维弱拓扑绝缘体因与量子自旋霍尔绝缘体堆垛间的绝热联系，以及其范德瓦耳斯型结构带来的样品剥离便利，为量子自旋霍尔效应提供了天然路径。尽管有这些优势，弱拓扑绝缘体的理论预测与实验辨识仍很匮乏。本文中，基于第一性原理计算，我们表明AuTe2Br位于强拓扑绝缘态与弱拓扑绝缘态的边界。更有趣的是，AuTe2Br的临界拓扑持续至约15.4 GPa外加压力，随后发生结构相变，伴随电子拓扑改变与超导性起始。我们的结果确立AuTe2Br为弱拓扑绝缘体的新候选材料，具有实现多种其他拓扑物相的潜力。
引用
@article{arxiv.2201.05335,
title = {Critical topology and pressure-induced superconductivity in the van der Waals compound AuTe2Br},
author = {Erjian Cheng and Xianbiao Shi and Limin Yan and Tianheng Huang and Fengliang Liu and Wenlong Ma and Zeji Wang and Shuang Jia and Jian Sun and Weiwei Zhao and Wenge Yang and Yang Xu and Shiyan Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.05335},
year = {2023}
}