两通道 Anderson 杂质模型的临界理论
强关联电子
2007-05-23 v2
摘要
我们构建了描述两通道 Anderson 杂质模型低温行为的边界 conformally 场论. 证明了恰好边缘算子会生成参数化由杂质电荷价决定的稳定固定点线. 我们计算了沿该固定线的精确零温熵和杂质热力学. 我们还推导了由导电电子与杂质之间时变杂化引起的特征费米边奇点性的临界指数. 我们的结果表明，在混合价态下，电子参与两种竞争过程，导致自旋和通道自由度的受阻筛选. 通过将边界 conformally 场论与 Bethe Ansatz 解相结合，我们获得了该模型在低能动力学的完整描述.
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301158,
title = {Critical Theory of the Two-Channel Anderson Impurity Model},
author = {H. Johannesson and N. Andrei and C. J. Bolech},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301158},
year = {2007}
}
备注
Revtex, 19 pages, 3 figures. Replaced with published version (Eq. 25 corrected, minor typographical changes, added references)