具有非磁性杂质的二维受阻磁体的临界性质

我们报道了对描述具有竞争电荷与自旋相互作用的稀释磁体的二维自旋-赝自旋模型的相变与临界行为的经典蒙特卡洛研究。利用有限尺寸标度理论，在较宽模型参数范围内计算了比热与关联长度的静态临界指数。借助能量直方图方法分析了相变级数。研究发现，接近受阻点并提高非磁性杂质密度会导致非普适临界行为以及一级相变。非普适临界行为的特征被证明取决于自旋与赝自旋相互作用参数之间的关系。