涡旋-反涡旋对的产生与钉扎

报道了关于在超导薄膜中由于薄膜上方垂直磁偶极子的磁场以及薄膜内部的两个反点钉扎中心而产生和钉扎磁涡旋-反涡旋（V-AV）对的计算机模拟。对于薄膜厚度$= 0.1\xi$，$\kappa = 2$，且无钉扎中心的情况，我们发现在所施加的通量范围$2.10\Phi_0 < \Phi^+ < 3.0\Phi_0$内，薄膜在稳态下承载两个V-AV对，低于此范围则没有对。当在薄膜中适当引入两个反点钉扎中心时，对于$\Phi^+ \ge 1.3\Phi_0$，单个V-AV对可以在薄膜中稳定存在。在钉扎中心间距$\ge 17\xi$时，我们发现V-AV对在移除偶极子场后仍保持钉扎，因此可以代表非易失性存储器中的1。