介观超导体中第二代涡旋-反涡旋态：通过人工钉扎的稳定化

超导多边形在均匀磁场中的对抗对称性及其诱导的多涡旋态，可能导致在超导/正常态边界附近（此处介观约束特别强）出现反涡旋。由此产生的涡旋-反涡旋（V-Av）分子与样品对称性匹配，但对缺陷和涨落极其敏感，且尚未在实验中被探测到。在这里，我们展示了由于多边形设置中围绕中心孔的穿孔阵列，V-Av态可以在超导态深处重新出现。这种状态不再由样品的对称性引起，而是由钉扎本身引起，它阻止了涡旋-反涡旋湮灭。因此，即使在大的介观样品中，微米大小、清晰间隔的V-Av分子也可以被稳定化。