Maxwell-Chern-Simons 理论中的膜耦合与扭曲自对偶性
高能物理 - 理论
2024-06-25 v2
摘要
我们研究了耦合至双荷点电荷的 4 维 Maxwell 理论，以及耦合至电荷点电荷与磁弦电荷的 5 维 Maxwell-Chern-Simons (MCS) 理论中电磁对偶性的三种方法。这三种方法分别由 Dirac，Bunster 和 Henneaux，以及 Pasti、Sorokin 和 Tonin (PST) 发展而来。在 Dirac 的表述中，电磁对偶性仅在运动方程层面上实现。另外两种表述引入了对偶（磁）规范势，以在作用量中诱导显现的扭曲自对偶性。特别地，我们研究了连接这三种方法的关系。本文的主要结果是带源的 MCS 理论的 Bunster-Henneaux 表述与 PST 表述。我们将我们的结果与 Bandos、Berkovits 和 Sorokin 给出的 11 维超引力耦合至 M2 膜与 M5 膜的 PST 表述进行了比较。
引用
@article{arxiv.2404.02226,
title = {Coupling of Branes and Twisted Self-Duality in the Maxwell-Chern-Simons Theory},
author = {Hannes Malcha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.02226},
year = {2024}
}
备注
25 pages, 2 figures; v2: 5 references added, matches published version