芯能级光电子能谱探测硅表面和界面的局域应变
材料科学
2009-11-13 v1 无序系统与神经网络
摘要
利用第一性原理方法，我们研究了Si(100)21表面和Si(100)-SiO界面处Si 2光电子谱精细结构的起源。计算和测量的位移在两种体系中均显示出非常好的一致性。通过使用最大局域化Wannier函数，我们提供了一种解释，其中第二近邻原子的电负性效应和局域应变场效应被区分开来。因此，结合精确建模，光电子能谱可以在原子尺度上直接测量应变场。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703424,
title = {Core-Level Photoelectron Spectroscopy Probing Local Strain at Silicon Surfaces and Interfaces},
author = {Oleg V. Yazyev and Alfredo Pasquarello},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703424},
year = {2009}
}
备注
to appear in the Proceedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors (Vienna, Austria, July 24-28, 2006). Original work: Phys. Rev. Lett. 96, 157601 (2006)