应变薄层中缺陷诱导异质性的连续场模型
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们通过发展基于引入序势参数场(缺陷浓度)耦合位移场的连续相场亚尺度模型来研究外部应力对受损应变薄层的结构和力学性质的影响。我们发现，即使在初始均匀分布的点缺陷情况下，外部应力也会驱动形成局部区域，这些区域的空位或自中子浓度高于其平均值。该效应可解释我们实验中在硅表面上通过自对准工艺制备的钴二硅化物薄膜中高度异质性区域的生成，以及含氧空位的四方相氧化锆陶瓷断裂韧性的提升。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310395,
title = {Continuum field model of defect-induced heterogeneities in a strained thin layer},
author = {Mikhail Belogolovskii and Gennadij Akimov and Yurii Komysa and Paul Seidel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310395},
year = {2007}
}
备注
submitted to the proceedings of the Tenth International Symposium on Continuum Models and Discrete Systems (CMDS10), Shoresh, Israel, 30 June - 4 July 2003