悬浮碳纳米管晶体管中激子产生的计算研究
介观与纳米尺度物理
2008-06-12 v1
摘要
碳纳米管晶体管（CNTFETs）的光发射因其潜在应用而最近引起了广泛关注。在本文中，我们利用玻尔兹曼输运方程在声子和激子散射同时存在下的自洽数值解，对最近实验中讨论的部分悬浮 CNTFET 发光器件的运行进行了详细研究。我们确定了 CNTFET 中热载流子的能量分布，并如实验报道的那样，观察到沟槽 - 衬底结附近的局域激子产生，以及发射强度随栅极电压线性增加电流呈指数增长。我们进一步提供了对器件运行的深入见解，并提出了高效激子产生的优化方案；更深的沟槽可提高产生效率，而使用高 k 衬底氧化物甚至可能带来更大的增强。
引用
@article{arxiv.0805.0246,
title = {Computational study of exciton generation in suspended carbon nanotube transistors},
author = {Siyuranga O. Koswatta and Vasili Perebeinos and Mark S. Lundstrom and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.0246},
year = {2008}
}
备注
17 pages, 5 figures