利用分裂柱介质谐振器和单柱介质谐振器对低损耗介质基片进行变温复介电常数测量
材料科学
2012-09-04 v1 仪器与探测器
摘要
构建了置于铜屏蔽盒中的分裂柱介质谐振器和置于超导端板腔体中的单柱介质谐振器，并用于单晶基片的复介电常数测量。在分裂柱谐振器中，对 (La,Sr)(Al,Ta)O3、LaAlO3、MgO 和石英基片进行了 20 K 至 300 K 温度范围内的测量；在单柱谐振器中，测量温度范围为 15 K 至 80 K。在 20 K 温度下，空谐振器的 TE01delta 模谐振频率和无载 Qo 因子分别为：分裂柱谐振器 9.952 GHz 和 25,000，单柱谐振器 10.808 GHz 和 240,000。
引用
@article{arxiv.1209.0111,
title = {Complex Permittivity Measurements at Variable Temperatures of Low Loss Dielectric Substrates Employing Split Post and Single Post Dielectric Resonators},
author = {Janina E. Mazierska and Mohan V. Jacob and Dimitri O. Ledenyov and Jerzy Krupka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.0111},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 8 figures, 1 table