SrTiO3上的平面GHz谐振器：1 K以下损耗受抑制
超导电性
2019-11-27 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
SrTiO的复介电常数 在低温下达到高值 ，而其介电损耗（）远强于其他晶体电介质。SrTiO 是氧化物薄膜（如超导 LaAlO/SrTiO 体系）的常用衬底，但较大的 和 限制了 SrTiO 上的高频量子器件。本文展示了 SrTiO 上的超导共面 Nb 谐振器，我们成功以远距倒装芯片构型在超过 1 GHz 的频率下运行。我们发现谐振器品质因数 在低于 1 K 的温度下出现显著且出乎意料的增加，达到 。我们将此归因于 SrTiO 在 mK 温度下介电损耗的实质性变化，并且我们还检测到温度依赖的 出现非单调变化。这些发现挑战了我们目前对 SrTiO 介电特性的理解，同时也表明 SrTiO 上的低温高频器件比先前设想的更为可行。
引用
@article{arxiv.1911.11456,
title = {Planar GHz Resonators on SrTiO3: Suppressed Losses at Temperatures below 1 K},
author = {Vincent T. Engl and Nikolaj G. Ebensperger and Lars Wendel and Marc Scheffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11456},
year = {2019}
}