对‘半导体纳米晶：结构、性质与带隙工程’[Acc. Chem. Res. Vol 43 (2) pp 190, (2010)] 的评论
材料科学
2014-10-20 v1
摘要
量子点（QDs）中的表面陷阱及相关发射因其基础兴趣以及对发射特性的影响而引起了大量研究关注。在文献 [Acc. Chem. Res. Vol 43 (2) pp 190, 2010] 中，讨论发射机制时将 CdSe 量子点的空穴陷阱（h-traps）描绘在靠近导带（CB）的位置。然而值得注意的是，电子陷阱（e-traps）靠近导带，而 h-traps 理论上应靠近价带，特别是在富阴离子的 CdSe 量子点中。尽管这种发射（即所谓的深陷阱）是已知现象，但这些陷阱的能量位置及其相关差异需要进一步关注。因此，我们在一般背景下探讨了 e-trap 和 h-trap 的区别及其在带隙内的能量位置，这本质上是对表面态的重新审视。最后，将这一一般性描述置于 CdSe 量子点表面态的具体背景中。
引用
@article{arxiv.1410.4747,
title = {Comment on 'Semiconductor nanocrystals: structure, properties, and band gap engineering' [Acc. Chem. Res. Vol 43 (2) pp 190, (2010)]},
author = {Sesha Vempati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.4747},
year = {2014}
}
备注
2 pages and 1 figure