掺杂近磁性半导体中的巨大正磁阻效应
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们报道了通过 FeSb 金属化诱导产生的正巨大磁阻 (MR) 效应，FeSb 是一种具有 3d 离子的近磁性或“近藤”半导体。我们讨论了轨道磁阻和量子干涉对电阻率磁场响应增强的贡献。
引用
@article{arxiv.0801.1354,
title = {Colossal Positive Magnetoresistance in a Doped Nearly Magnetic Semiconductor},
author = {Rongwei Hu and K. J. Thomas and Y. Lee and T. Vogt and E. S. Choi and V. F. Mitrovic and R. P. Hermann and F. Grandjean and P. C. Canfield and J. W. Kim and A. I. Goldman and C. Petrovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.1354},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures