中文

无序 1D 绝缘体中的相干 "金属" 电阻与中等局化

介观与纳米尺度物理 2009-11-07 v3 无序系统与神经网络

摘要

认为具有相干电子导电性质的无序一维 (1D) 线是电阻均值 <ρ\rho> \simeq e^{2L/\xi} 且电阻分散 Δρ\Delta_{\rho} \simeq e^{L/\xi} 的绝缘体,其中 L 为线长度,ξ\xi 为电子局化长度。本文表明,在完全相干条件下,这种 1D 绝缘体会发生向 1D "金属" 的横断面,由热力学平滑和共挥隧穿引起。结果表明,Δρ\Delta_{\rho} 小于 1 且趋于与 L/ξ\xi 无关,而 <ρ\rho> 随着 L/ξ\xi 的增大先近似线性增长,然后多项式增长,表现为所谓的中等局化现象。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0211235,
  title  = {Coherent "metallic" resistance and medium localisation in a disordered 1D insulator},
  author = {Martin Mosko and Pavel Vagner and Michal Bajdich and Thomas Schaepers},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211235},
  year   = {2009}
}

备注

4 pages, 4 figures, RevTeX4