半导体量子点中相干缺陷辅助多声子带间载流子弛豫
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
本文提出了一种半导体量子点中多声子带间载流子弛豫的缺陷辅助新机制，其中载流子处于初态、末态和缺陷态的相干叠加中。结果表明，该机制能够解释PbSe和CdSe胶体纳米晶体量子点带间弛豫速率温度依赖性的观测趋势。
引用
@article{arxiv.0705.2727,
title = {Coherent defect-assisted multiphonon intraband carrier relaxation in semiconductor quantum dots},
author = {A. N. Poddubny and S. V. Goupalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.2727},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 3 figures, submitted to Phys.Rev. B