半导体量子点分子中声子辅助单重态 - 单重态弛豫的理论研究
介观与纳米尺度物理
2009-04-27 v1
摘要
本文对半导体量子点分子中的声子辅助单重态 - 单重态弛豫进行了理论研究。考虑了掺杂两个电子的横向耦合量子点结构。我们计入了通过形变势和压电耦合与声学声子模式的相互作用。研究表明，对于所考虑的系统，压电机制至关重要，并且在某些量子点分子参数范围内是弛豫的主导贡献。结果显示，与其他退相干过程（如自旋轨道耦合， 0.01 ns）相比，声子辅助隧穿速率达到了高得多的数值（即使在零温下也可达 160 ns）。讨论了库仑相互作用的影响并指出了其后果。我们计算了 GaAs 量子点分子的弛豫速率，并研究了其对组成量子点的尺寸、间距和偏移量的依赖关系。此外，还分析了隧穿速率的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.0805.3768,
title = {Theoretical study of phonon-assisted singlet-singlet relaxation in two-electron semiconductor quantum dot molecules},
author = {A. Grodecka and P. Machnikowski and J. Förstner},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.3768},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 12 figures, To be presented at NOEKS9, submitted to PSS