大质量引力中 AdS 拓扑带电黑洞的共存曲线与分子数密度
高能物理 - 理论
2017-11-20 v2
摘要
研究了大质量引力中 4 维 AdS 拓扑带电黑洞的共存曲线与分子数密度。我们发现，约化参数空间中共存曲线的解析表达式依赖于理论参数。这与之前在其他修正引力（如 引力与 Gauss-Bonnet 引力）中获得的结果非常不同。此外，我们推导了描述 AdS 拓扑带电黑洞分子在小黑洞与大黑洞之间数密度之差的物理量的显式表达式。观察到分子数密度之差同样依赖于理论参数。若引力子质量 为零，共存曲线与分子数密度之差的表达式均可化为类似于 RN-AdS 黑洞的形式。此外，我们发现了大质量引力下的移动温度。这可凸显引力子质量与其他参数在大质量引力中 AdS 黑洞相变中所起的重要作用。
引用
@article{arxiv.1711.04403,
title = {Coexistence curve and molecule number density of AdS topological charged black hole in massive gravity},
author = {Yi-Fei Wang and Ming Zhang and Wen-Biao Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.04403},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 4 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1604.07931, arXiv:1506.03578 by other authors