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电感耦合多通量子系统中的 CNOT 门

量子物理 2025-12-15 v1

摘要

高保真度两量子比特门已在两个通量子比特系统中得到验证;然而,可扩展量子处理器的实现要求在规模大得多的架构中保持低错误率。在本工作中,我们分析了一个由四个电感耦合通量子比特组成的系统,以确定旁观量子比特对 CNOT 门性能的影响。我们的结果表明,当旁观量子比特的跃迁频率与工作量子比特的频率充分失谐时,旁观诱导误差受到强烈抑制。我们为四量子比特链确定了有利的频率配置,使得 CNOT 门错误率低于 10410^{-4},门时间少于 100 ns。利用最近邻耦合的局域性,我们将结果外推至更长的通量子链,指出了通向可扩展、低错误率量子信息处理的可行路径。

关键词

引用

@article{arxiv.2512.11756,
  title  = {CNOT gates in inductively coupled multi-fluxonium systems},
  author = {Valeria Díaz Moreno and Nikola D. Dimitrov and Vladimir E. Manucharyan and Maxim G. Vavilov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2512.11756},
  year   = {2025}
}

备注

7 pages, 4 figures