容式交叉共振门的Fluxonium参数探索

我们研究了容式耦合Fluxonium量子比特中的交叉共振效应，设计出其最大ZX相互作用强度的简洁公式。通过超越扰动 regime，我们发现具有频率低于1 GHz的Fluxonium量子比特，可在ZX相互作用强度下实现200纳秒内完成CNOT门，剩余ZZ误差控制在50 kHz以内。我们的分析依赖于半解析方法：首先数值对强驱动控制量子比特的Floquet哈姆顿量进行对角化，然后扰动性地纳入弱量子比特间耦合，以获得有效哈姆顿量。我们还推导出围绕有害控制-目标和控制-旁观者过渡的频率碰撞窗口。对于大型Fluxonium器件，我们预测其在杂合 yield 上比相同布局下的transmon更少受制于结极变动性。这些结果支持仅依赖容式耦合的全Fluxonium交叉共振体系结构的可行性。