基于跃迁选择性变暗的通量子比特 CNOT 门
量子物理
2022-09-27 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们分析了通量子（fluxonium）电路的叉共振效应，并研究了一种基于跃迁选择性变暗的两比特门方案。在该方法中，以目标比特频率的两个微波脉冲同时施加，且其振幅间具有适当比例，以实现受控非（controlled-NOT）操作。我们详细研究了相干门动力学并计算了门误差。在计入非幺正效应后，我们证明对于实际硬件参数，门误差低于 是可能的。这一数值得益于计算跃迁的长相干时间以及通量子的强非谐性，后者在门微波驱动期间轻易阻止了向更高激发态的激发。
引用
@article{arxiv.2202.04583,
title = {CNOT gates for fluxonium qubits via selective darkening of transitions},
author = {Konstantin N. Nesterov and Chen Wang and Vladimir E. Manucharyan and Maxim G. Vavilov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.04583},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 5 figures; published version