面向 Fluxonium 电路的快速磁通纠缠门
量子物理
2022-09-28 v2
摘要
我们分析了在超导 fluxonium 量子比特上使用快速磁通脉冲的高保真双量子比特门。该门通过将穿过 fluxonium 环的磁通暂时失谐离开半磁通量子甜点来实现。我们模拟了两个电容耦合的 fluxonium 在磁通脉冲期间的动力学，并优化脉冲参数以获得高精度的类 纠缠门。我们还评估了磁通噪声和量子比特弛豫对门保真度的影响。我们的结果表明，在当前可实现的磁通噪声幅度和量子比特弛豫时间下，门误差保持在 以下。
引用
@article{arxiv.2110.00632,
title = {Fast Flux Entangling Gate for Fluxonium Circuits},
author = {Yinqi Chen and Konstantin N. Nesterov and Vladimir E. Manucharyan and Maxim G. Vavilov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.00632},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 6 figures, new figure and new results added, comment on the effect of time-dependent external flux on circuit quantization added. Equation (4) is corrected from xx coupling to yy coupling