Clauser-Horne 不等式与介观导体中的退相干效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们分析了退相干对介观多端口导体中完整电子计数统计对 Clauser-Horne (CH) 不等式违背程度的影响。该设置由一个产生 entangled 电子束流进入两个具有散射矩阵并受退相干作用的导体组成。相位记忆的损失通过引入虚构的额外端口来现象性地建模。出口电子通过自旋敏感电子计数器进行检测。给定一定数量的输入 entangle 电子后，评估 CH 不等式作为检测粒子数以及散射矩阵各类参数函数。当开启退相干时，我们显示，CH 不等式违背程度实际上被有效地降低。有趣的是，我们发现通过调整系统参数，可以存在一区域 值，使得在任意强退相干下仍然保持违背。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505579,
title = {Clauser-Horne inequality and decoherence in mesoscopic conductors},
author = {Elsa Prada and Fabio Taddei and Rosario Fazio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505579},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 10 figures. Published version