磁隧道结器件中自旋瓶颈电阻的电路模型
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
磁隧道结器件中，由于自旋向上和自旋向下相对电阻的空间不均匀性，会产生自旋瓶颈。我们为这些器件提出了一个简单的电路模型，该模型包含了自旋瓶颈效应，并可用于计算其总电阻和磁电阻。该模型可以简单地理解器件磁电阻对自旋扩散长度、隧道磁电阻以及铁磁电极中多数和少数自旋电阻率的依赖关系。该电路模型与详细的输运计算结果定量吻合良好。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9801146,
title = {Circuit model for spin-bottleneck resistance in magnetic-tunnel-junction devices},
author = {T. Jungwirth and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9801146},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, submitted to Phys. Rev. B