一般绝缘体中的陈-西蒙斯轨道磁电耦合
材料科学
2012-05-16 v1
摘要
我们提出了一种基于万尼尔函数的方法，用于在第一性原理密度泛函理论框架内计算陈-西蒙斯轨道磁电耦合。鉴于最近与强Z2拓扑绝缘体相关的发展，我们预计陈-西蒙斯对磁电耦合的贡献在特殊情况下可能等于或大于已知磁电材料（如Cr2O3）中的总磁电耦合。我们对普通磁电材料Cr2O3、BiFeO3和GdAlO3的计算结果证实，在这些情况下陈-西蒙斯贡献非常小。另一方面，我们表明，如果人为破坏Z2拓扑绝缘体Bi2Se3的空间反演和时间反演对称性，陈-西蒙斯磁电耦合中会出现大的感应变化。
引用
@article{arxiv.1010.6071,
title = {Chern-Simons orbital magnetoelectric coupling in generic insulators},
author = {Sinisa Coh and David Vanderbilt and Andrei Malashevich and Ivo Souza},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.6071},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 8 figures, 1 table