利用新型电子自旋共振技术研究单晶Cu2OSeO3中的磁电耦合
强关联电子
2015-06-04 v2
摘要
通过一种结合电子自旋共振和电场调制的新技术，研究了单晶Cu2OSeO3中自旋波共振的磁电（ME）耦合。外部电场E沿外加磁场H方向感生一个磁场分量μ0H^i = γE，在10 K时γ=0.7(1) μT/(V/mm)。我们发现ME耦合强度γ是温度依赖的且高度各向异性。γ(T)几乎遵循自旋磁化率J(T)的变化，并在居里温度Tc以上迅速下降。比值γ/J随温度升高单调下降，在Tc处无异常。
引用
@article{arxiv.1204.2481,
title = {Magneto-Electric Coupling in Single Crystal Cu2OSeO3 Studied by a Novel Electron Spin Resonance Technique},
author = {A. Maisuradze and A. Shengelaya and H. Berger and D. M. Djokić and H. Keller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2481},
year = {2015}
}
备注
to appear in Phys. Rev. Lett