非对称电解质中的带电平板：由离子关联引起的表面电荷密度与德拜长度的单圈重正化

使用自洽场理论（SCFT）研究 $m:-n$ 电解质中带电平板附近的平均势。以 $g = 4 \pi b/\ell_{\rm {\scriptscriptstyle DB}}$ 为参数展开扰动级数，其中 $b, \ell_{\rm{\scriptscriptstyle DB}}$ 分别为比耶鲁姆长度和裸德拜长度。零阶得到非线性泊松-玻尔兹曼理论。对于非对称电解质（$m \neq n$），平均势的一阶（单圈）修正包含一个长期项，这表明正则扰动方法的失效。利用重正化群变换（RG），我们消去长期项，获得具有重正化德拜长度和重正化表面电荷密度的整体良态单圈近似。进一步，我们发现若反离子为多价的，则表面电荷密度被显著向下重正化，并且若裸表面电荷密度足够大，可能发生变号。