电子-空穴双层器件中的电荷转移动力学：电容振荡与滞回行为
介观与纳米尺度物理
2025-04-29 v1
摘要
我们研究了MBE生长的AlGaAs/GaAs p-i-n 二极管的电容和微分电导。 在这些二极管中，p掺杂层、相邻的固态隔层以及中心障壁均由AlGaAs制成。观察到电容振荡和滞回行为，理解为AlGaAs隔层特性的结果。这些发现对于设计旨在实现电气接触、紧密间隔的电子和空穴层的异质结构具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2504.18627,
title = {Charge Transfer Dynamics in an Electron-Hole Bilayer Device: Capacitance Oscillations and Hysteretic Behavior},
author = {Miranda Leigh Davis and Simon Parolo and Sandro Agostini and Christian Reichl and Werner Dietsche and Werner Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.18627},
year = {2025}
}