通过杂化泛函计算研究硅氧化过程中 O$_{2}$ 分子的电荷态
材料科学
2008-11-14 v1
摘要
我们通过杂化泛函计算研究硅氧化过程中扩散的 O 分子的电荷态。我们计算了 O 在块体 SiO 中的电荷转变能级，并利用理论能带偏移将这些能级相对于 Si 带边进行对齐。为了克服半局域密度泛函的带隙问题，我们采用了具有预定义和经验调整混合系数的杂化泛函。我们发现，块体 SiO 中的电荷转变能级 出现在硅导带边以上约 1.1 eV 处，这意味着 O 分子以中性电荷态在氧化物中扩散。虽然界面效应会共同作用以降低电荷转变能级，但我们的估算表明，中性电荷态会一直持续到硅氧化过程完成。
引用
@article{arxiv.0809.4905,
title = {Charge state of the O$_{2}$ molecule during silicon oxidation through hybrid functional calculations},
author = {Audrius Alkauskas and Peter Broqvist and Alfredo Pasquarello},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.4905},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 3 figures