诱导应变下石墨烯片中的载流子迁移率退化
介观与纳米尺度物理
2010-10-19 v3
摘要
研究了诱导应变对单层石墨烯片中载流子迁移率的影响。在Born近似内，通过考虑杂质散射、表面粗糙度效应以及与晶格声子的相互作用，计算了迁移率。与应变硅对应物不同，应变石墨烯的迁移率随应变增加而下降。这一效应的主要原因是石墨烯蜂窝结构中的诱导畸变导致费米速度降低。
引用
@article{arxiv.1008.4425,
title = {Charge carrier mobility degradation in graphene sheet under induced strain},
author = {Raheel Shah and Tariq M. Mohiuddin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4425},
year = {2010}
}
备注
9 pages, 5 figures Version 2: Corrected Typos