二维有机导体中连续莫特转变的电荷与自旋临界性
强关联电子
2011-10-31 v1
摘要
我们研究了二维单带哈伯德模型中由带宽控制的连续莫特转变，重点关注电荷和自旋自由度的临界标度行为。利用plaquette团簇动力学平均场理论，我们发现了与有机导体实验结果一致的电荷和自旋临界性。特别是，通过费米能级处局域态密度测量的电荷自由度显示出比伊辛普适类和单点动力学平均场理论预期更平滑的转变，揭示了二维空间中短程非局域关联的重要性。通过局域自旋磁化率测量的自旋临界性，在定量上与核磁共振测量的自旋-晶格弛豫率一致。
引用
@article{arxiv.1108.0428,
title = {Charge and spin criticality for the continuous Mott transition in a two-dimensional organic conductor},
author = {Michael Sentef and Philipp Werner and Emanuel Gull and Arno P. Kampf},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0428},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 2 figures