用于高分辨率电子能谱的硅漂移探测器的表征
仪器与探测器
2020-08-26 v2 核实验
摘要
硅漂移探测器（SDD）广泛应用于高分辨率、高计数率的X射线探测，本文探讨其在电子探测方面的应用价值。氚β衰变的精确测量是TRISTAN（TRitium Investigation on STerile to Active Neutrino mixing，惰性至活性中微子混合的氚研究）项目的核心。本工作利用扫描电子显微镜获得的单能电子束，对单像素SDD探测器进行表征。结果表明，SDD适用于探测能量范围从几keV到几十keV的电子。实验测量揭示探测器入射窗结构对观测到的能量响应有显著影响。因此，要重建未知β衰变源能谱，必须建立详细的探测器模型。
引用
@article{arxiv.2006.13851,
title = {Characterization of a Silicon Drift Detector for High-Resolution Electron Spectroscopy},
author = {Matteo Gugiatti and Matteo Biassoni and Marco Carminati and Oliviero Cremonesi and Carlo Fiorini and Pietro King and Peter Lechner and Susanne Mertens and Lorenzo Pagnanini and Maura Pavan and Stefano Pozzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.13851},
year = {2020}
}