双层石墨烯中的堆叠顺序变化与Lifshitz相变
介观与纳米尺度物理
2012-08-09 v2
摘要
我们考虑双层石墨烯（BLG）体系的AB（Bernal）堆叠，并假设由沉积在BLG表面的外部栅极产生垂直电场。在谷K的基(A1, B2, A2, B1)和谷K'的基(B2, A1, B1, A2)下，我们展示了三角翘曲的出现（参见A. S. Núñez等人，arXiv:1012.4318），即由于A1和B2之间的（倾斜）层间跳跃，能带或态密度在kx-ky平面上分裂为四个口袋，包括中心部分和三个腿。A1-B2之间的跳跃导致除了费米速度vF之外还出现一个伴随速度v3。我们值得注意的结果是，上述拓扑变化（称为Lifshitz相变）完全可通过偏压调谐。此外，已知在单层石墨烯的能带色散中产生对数重整化的多体效应（C. Hwang, D. A. Siegel, Sung-Kwan Mo, W. Regan, A. Ismach, Y. Zhang, A. Zettl and A. Lanzara, arXiv:1208.0567），被发现对该相变的偏压可调性有显著影响。我们还考虑了这样一种体系：两层中的A原子彼此正对，而B原子彼此错位。在这种情况下，三角翘曲消失。相反，零偏压下的费米能态密度对应于倒置的宽边帽状结构。该结构因偏压增加而发生形变。
引用
@article{arxiv.1205.0132,
title = {Change in Stacking Order and Lifshitz transition in Bi-layer Graphene},
author = {Partha Goswami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.0132},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 4 figures