准低维化合物La2RuO5中的载流子掺杂
材料科学
2008-10-03 v1 强关联电子
摘要
通过用Cd2+替代La3+，尝试对准低维材料La2RuO5进行空穴载流子掺杂。成功获得了x高达0.5的单相La2-xCdxRuO5样品，并对x=0.5的样品进行了高压O2退火处理。尽管Ru的形式离子价态预计从4+（x=0）增加到4.5+（x=0.5），但烧结态样品的磁性和电学性质未显示显著变化。相比之下，高压O2退火的x=0.5样品在260 K时电阻率略有降低，热电功率下降。从这些结果可以推测，在烧结态样品中，掺杂的载流子大部分被氧空位补偿。
引用
@article{arxiv.0810.0350,
title = {Carrier doping to pseudo-low-dimensional compound La2RuO5},
author = {Masatomo Uehara and Kenich Ashikawa and Yoshimasa Aka and Yoshihide Kimishima},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.0350},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 7 figures