Divalent Hexaborides 中的 Bulk 能带隙
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
对二价六硼化物进行的补充角度解析光子发射和bulk敏感的k分辨率共振非弹性X射线散射, 揭示了价带与导带之间存在着超过1 eV的X点能隙, 这与several模型中假设的能带重叠相矛盾, 这些模型试图解释其新颖的铁磁性。这种半导体能隙意味着, 在输运测量中检测到的载流子来源于缺陷, 测得的费米能级位于导带底部, 这暗示了硼空位是导致多余电子的来源。测得的能带结构和CaB6的X点能隙为在准粒子能带计算中正确包含many-body效应提供了严格的测试案例。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107429,
title = {Bulk Band Gaps in Divalent Hexaborides},
author = {J. D. Denlinger and J. A. Clack and J. W. Allen and G. -H. Gweon and D. M. Poirier and C. G. Olson and J. L. Sarrao and A. D. Bianchi and Z. Fisk},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107429},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures; new RIXS analysis; accepted for publication in PRL