不依赖带隙内体态理解六硼化钐的低温体输运
强关联电子
2017-05-24 v1
摘要
我们提出一个新模型来解释六硼化钐（SmB）中输运能隙与谱能隙之间的差异，这一差异困扰学界已有一段时间。我们提出 SmB 可建模为具有在低温下发散的耗尽长度的本征半导体。在该模型中，我们在体相中求解泊松方程的自洽解，边界条件基于表面电荷导致的费米能级钉扎。该解产生体相中的能带弯曲；这解释了两个能隙的差异，因为谱方法测量近表面的能隙，而输运测量体相平均值。我们还利用半经典输运理论将该模型与输运参数（包括霍尔系数和热电势）联系起来。耗尽长度的发散还解释了这些参数数据中 10-12 K 的特征，表明在此温度以上体主导输运到以下表面主导输运的交叉。我们发现模型与 4-40 K 的输运数据集合吻合良好。该模型也可推广到具有类似能带结构的材料。
引用
@article{arxiv.1702.02619,
title = {Understanding low-temperature bulk transport in samarium hexaboride without relying on in-gap bulk states},
author = {Alexa Rakoski and Yun Suk Eo and Kai Sun and Cagliyan Kurdak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.02619},
year = {2017}
}
备注
12 pages, 8 figures