同质氧化物中编织横向形态型晶界
材料科学
2022-07-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
由关联氧化物形成的界面为发现涌现现象和量子态提供了关键途径。然而，通过传统的逐层堆叠或自组装来制备沿膜面集成、具有可变晶体取向和应变状态的氧化物界面极具挑战。在此，我们报道了在横向互连钴酸盐同质结构中创建形态型晶界（GBs）。单晶衬底和悬浮超薄自支撑膜为相干外延和生长取向约束提供了独立模板，从而产生无缝且原子级锐利的晶界。混合结构中的电子态和磁行为被晶界横向调制和隔离，使得在平面矩阵中可实现人工设计的 functionalities。我们的工作提供了一种简单且可扩展的方法，通过受控合成路线制备前所未有的创新界面，并为探索在神经形态计算、固态电池和催化中的潜在应用提供了平台。
引用
@article{arxiv.2207.06566,
title = {Braiding lateral morphotropic grain boundary in homogeneitic oxides},
author = {Shengru Chen and Qinghua Zhang and Dongke Rong and Yue Xu and Jinfeng Zhang and Fangfang Pei and He Bai and Yan-Xing Shang and Shan Lin and Qiao Jin and Haitao Hong and Can Wang and Wensheng Yan and Haizhong Guo and Tao Zhu and Lin Gu and Yu Gong and Qian Li and Lingfei Wang and Gang-Qin Liu and Kui-juan Jin and Er-Jia Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.06566},
year = {2022}
}
备注
38 pages, 4 main figures