面向应用物理的有界分布函数，特别是深低温下的电子器件仿真
介观与纳米尺度物理
2022-12-06 v1 应用物理
摘要
数值下溢与上溢是推广约 50 K 以下温度的建模与仿真基础设施的主要障碍。扩展数值精度计算密集，因此最好避免。这些数值挑战的根本原因在于 Fermi-Dirac、Bose-Einstein 与 Boltzmann 分布函数。为应对其极值，本文提出有界分布函数，其在给定精度下数值安全，但在物理层面与标准分布一致。这些函数有助于以默认双精度开发处理深低温的电子器件模型与 TCAD 软件，以跟上快速的实验进展。更广泛地，它们也可应用于具有类似数值挑战的其他应用物理分支。
引用
@article{arxiv.2212.01786,
title = {Bounded Distribution Functions for Applied Physics, Especially Electron Device Simulation at Deep-Cryogenic Temperatures},
author = {Arnout Beckers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.01786},
year = {2022}
}