石墨烯基拓扑绝缘体中圆锥奇点的束缚态

我们研究了在实现陈数 $\gamma=\pm 1$ 的蜂窝晶格模型中，由楔形向错（圆锥奇点）诱导的电子结构。我们建立了以下三者之间的对应关系：(i) 孤立的 $\Phi_0/2$ 磁通；(ii) 孤立的五边形 $(n=1)$ 或七边形 $(n=-1)$ 缺陷，且中心穿过大小为 $n\gamma \Phi_0/4$ 的外加磁通；(iii) 孤立的正方形或八边形缺陷且无外加磁通，其中 $\Phi_0=h/e$ 为磁通量子。基于上述对应关系，束缚于向错的孤立电子态的存在对各种微扰具有鲁棒性。这些结果也被推广至石墨烯基的时间反演不变拓扑绝缘体。